FQD13N10TM
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQD13N10TM |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.79 |
10+ | $0.692 |
100+ | $0.5302 |
500+ | $0.4191 |
1000+ | $0.3353 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQD13N10 |
FQD13N10TM Einzelheiten PDF [English] | FQD13N10TM PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FAIRCHILD TO-252
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MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQD13N10TMonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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